技术编号:31327372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例关于半导体结构的形成方法,更特别关于分开形成不同装置区中的源极/漏极结构。背景技术.电子产业对更小、更快、且同时支援越来越复杂的大量功能的电子装置的需求持续成长。综上所述,半导体产业中的持续趋势为制造低成本、高效能、低能耗的集成电路。目前为止,达成这些目标的主要方法为缩小半导体集成电路尺寸(如最小结构尺寸),进而改善产能并降低相关成本。然而缩小尺寸会使半导体制造制程更复杂。为了实现半导体集成电路与装置单元的持续进展,半导体制造制程与技术亦需类似进展。.近来已导入多栅极装置以增...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。