技术编号：31339958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种区分h-碳化硅表面的方法技术领域.本申请涉及半导体领域，特别涉及一种区分h-碳化硅表面的方法。背景技术.宽禁带碳化硅半导体是继硅半导体之后新近发展起来的新一代功率半导体，是支持g通讯、智能制造、电子电力以及军工航天等产业的必备材料。而以碳化硅(sic)为代表的第三代半导体材料因为更宽的禁带宽度而拥有高击穿场强、高饱和电子漂移速率及高导热率等一系列优点，可以广泛应用在高温、高压、高辐射等极端条件下。sic具有种以上的同质异型体，其中h-sic具有较高的载流子饱和漂移速率(电子...
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