技术编号：31355085
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种真空排气方法及真空排气系统。背景技术.为了将半导体制造装置(例如，蚀刻装置、化学气相成长装置(cvd)等)的真空腔室维持在真空状态，已知有对真空腔室内的气体进行排气的真空泵装置。.供给至真空腔室内的成膜用的气体(处理气体)可能包含生成副生成物的气体。在该情况下，当真空泵装置对真空腔室内的气体进行排气时，存在副生成物和气体一起流入真空泵装置内，或副生成物在真空泵装置内生成的担忧。.现有技术文献.专利文献.专利文献：日本特开平-号公报.专利文献：日本...
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