技术编号：31443472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术.随着动态存储器的集成密度朝着更高的方向发展，对动态存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及晶体管尺寸产生了更高的要求。全环绕栅极晶体管结构作为动态存储器中的晶体管时，可在给定工艺条件下可获得较小的图案尺寸，有利于增加动态存储器的集成密度。.在对动态存储器结构的排布方式以及如何缩小动态存储器结构的尺寸进行研究的同时，也需要提高小尺寸的动态存储器的电学性能。具体的，随着动态存储器结构尺寸的缩小，动态存储器结构中，在垂直...
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