技术编号：31459337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件、其制作方法及存储系统。背景技术.近年来，闪存(flash memory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维存储器(d nand flash)应运而生。三维存储器中形成有交替堆叠的多层数据存储单元，通过将平面结构转化为...
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