技术编号：31540915
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种嵌入式闪存存储器。背景技术.在嵌入式闪存存储器中，通常需要形成互连结构来实现嵌入式闪存存储器中的各个器件的电性连接。互连结构中，通常会有多层导电层，通过该导电层来实现电性连接。在现有的嵌入式闪存存储器中，为了实现字线、控制栅以及位线与外部电路之间的电性连接，通常需要三层导电层，并且随着嵌入式闪存存储器的微缩，会出现与逻辑工艺不易兼容的情况。发明内容.本发明的目的在于提供一种嵌入式闪存存储器，以减少嵌入式闪存存储器中的导电层并实现与逻辑工艺兼容。.为...
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