技术编号：31563661
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储装置.本申请享受以日本专利申请-号(申请日：年月日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。技术领域.实施方式涉及半导体存储装置。背景技术.作为存储大容量数据的半导体存储装置，已知有使存储单元的电阻值变化来存储信息的电阻变化型的半导体存储装置。发明内容.在这种半导体存储装置中，采用了以下构造：在记录信息的存储层连接设置电极层，通过电极层的通电加热来使存储层的状态变化从而进行信息的写入和擦除。因此，为了推进半导体存储...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。