技术编号：31607888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种无错配非极性zno薄膜的制备方法技术领域.本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种无错配非极性zno薄膜的液相合成制备方法。背景技术.以zno为代表的第三代宽禁带半导体材料，由于具有室温禁带宽度.ev以及激子束缚能mev的物理特性，可实现室温激子复合发光，使其有望取代gan成为具有更高光电效率的新型功能材料。.zno常温常压下呈六方纤锌矿晶体结构，且通常沿晶胞c轴方向，即极性方向生长。由于极性方向的非中心对称结构使沿该方向生长的zno具有自发极化及压电极化效应，由此产生的...
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