技术编号:31648410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,尤其涉及一种埋入式字线(buried word line structure)结构及其制造方法。背景技术.为了提升动态随机存取内存的集成度以加快组件的操作速度以及符合消费者对于小型化电子装置的需求,近年来发展出埋入式字线动态随机存取内存(buried word line dram),以满足上述需求。.一般而言,埋入式字线可设置于隔离结构中。然而,当埋入式字线与设置于衬底上的电容器的距离过近时,电容器中所储存的电子容易被埋入式字线所产生的电场吸引而导致...
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