技术编号:31654107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及一种半导体装置和制造所述半导体装置的方法。背景技术.jp - a公开了一种半导体装置,该半导体装置具有利用锡基(tin(sn)-based)焊料层接合到衬底的半导体元件。锡晶体具有各向异性。锡基焊料层因温度变化而产生非弹性应变(inelastic strain),这种非弹性应变具有各向异性。所述非弹性应变在锡晶体结构的c轴(c-axis)方向最大。当重复力施加在非弹性应变大的方向上时,锡基焊料层的劣化可能加速。因此,在jp -中描述的技术中,锡...
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