技术编号:31662250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及微波集成电路系统技术领域,具体涉及一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法。背景技术.铁氧体是一种非金属磁性材料,由氧化铁和其他铁族或稀土族氧化物(如氧化镍、氧化锌、氧化镁、氧化钡等)为主要成分的复合氧化物,其作为磁性介质而被广泛应用于民用设备和军事系统。铁氧体材料在导电性能方面属于半导体,其电阻率高于金属磁性材料。在高频使用情况下,铁氧体具有较高的磁导率。在微波频率下,金属磁性材料由于严重的涡流效应和趋肤效应无法正常使用,但铁氧体材料可制成良好的微波器件,所以其被广泛应用于微波领域。...
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