技术编号：31668601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种碳化硅外延炉，特别涉及一种碳化硅外延炉的源载气输送结构。背景技术.碳化硅外延炉是用于碳化硅晶圆表面外延成膜工艺设备，碳化硅外延炉为一个密封的反应腔体，在腔体的上端口设置有密封盖，密封盖上设置有工艺气体进入口，在反应腔体中设置有旋转台，晶圆放置在旋转台上，边旋转边被加热，在加热的过程中，通过密封盖上的工艺气体进入口，向晶圆表面通入按照一定的比例混合的工艺气体，并保持一定的气压（常压或者负压），搭建起合适的稳定热场，使工艺气体在晶圆表面产生热反应，按照台阶方式生长成膜，在晶圆表面...
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