技术编号：31669820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和设备。背景技术.碳化硅(sic)是第三代宽带隙半导体材料的代表材料，其禁带宽度大、临界击穿电场强度高、载流子饱和迁移速度高、热导率高，并具有极好的化学稳定性正是基于上述优异的物理化学性质，sic在微电子和光电子领域有着广泛的应用。.目前碳化硅单晶生长以物理气相输运法(pvt)为主要生长方式，已经被证明是生长sic晶体最成熟的方法。其主要工艺过程是将sic粉料加热到～℃升华，同时在惰性气氛的保护下，...
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