技术编号：31695777
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及率半导体制造技术领域，具体涉及一种功率半导体的元胞结构、功率半导体及其制造方法。背景技术.目前vdmos与igbt常用的元胞图形有条形、方形、圆形、六角形，不同几何结构的元胞具有各自的优点与缺点，在相同的漂移区掺杂浓度下，各元胞的饱和电压不同，闩锁电流也不同，其中六角形的饱和电压最小，但抗闩锁能力最弱，条形的饱和电压最大，但抗闩锁能力最强，在实际应用中，条形元胞和方形元胞是最常用的有源区结构。.电流越大，面积也越大，并联的元胞数量也越多，对元胞开启的同步性要求也越高，在这方面，...
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