技术编号：31709497
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种分离栅结构的半导体器件，还涉及一种分离栅结构的半导体器件的控制方法。背景技术.沟槽型vdmos产品是较为广泛应用的功率器件，自分离栅器件结构提出至实现，由于分离栅结构低阻低栅电容等优势，中低压普通沟槽型vdmos产品渐有被沟槽分离栅vdmos器件替代的趋势。对于分离栅结构，隔离控制栅和分离栅的氧化层(隔离氧化层)对器件电性影响至关重要。发明内容.基于此，有必要提供一种具有新型的分离栅隔离结构，能够获得较高的栅源耐压的分离栅结构的半导体器件及其制造方...
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