技术编号：31774512
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及属于阻变存储器领域，具体涉及一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法。背景技术.目前阻变存储器(rram)主要有铁电存储器、磁阻存储器、相变存储器以及阻变存储器等。在众多存储器中，金红石型tio阻变存储器因其具有器件结构简单、低功耗以及良好的数据保持特性等优点已经成为了新型存储器的代表之一。但是，目前金红石型tio阻变存储器件还在被开关电压比小和稳定性差，阻变机理与性能调控机制尚不明确等问题困扰着，这使得金红石型tio阻变存储器的集成以及大规模应用仍面临着巨...
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