技术编号：31782308
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。rhbd-t抗辐照sram存储单元、芯片、模块技术领域.本发明涉及静态随机存储单元电路技术领域，特别是涉及rhbd-t抗辐照sram存储单元、芯片、模块。背景技术.在没有大气保护的环境下，空间的各种辐射会穿透航天器和航天器内部的电子设备，静态随机存储器sram(static random access memory)同样也会受到影响。由于其集成度越来越高，sram受到单粒子效应set(single event effects)的影响导致单粒子翻转seu(single event up...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。