技术编号:31834223
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开总体涉及适于形成电子器件的方法和系统。更具体地,本公开涉及可用于在间隙、沟槽等中沉积材料的方法和系统。背景技术.半导体器件的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度显著提高。然而,随着大规模集成器件的布线间距的小型化,由于现有沉积过程的限制,高纵横比间隙或沟槽(例如纵横比为或更高的沟槽)的无空隙填充变得越来越困难。因此,需要有效填充高纵横比特征的过程,例如在逻辑和/或存储器件的情况下,在填充半导体衬底上的间隙比如沟槽。特别需要用导电材料比如过渡金属氮化物有效填充高纵横比特征的过程,所述...
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