技术编号：31853961
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。n型管存储单元，包括一对内嵌交叉结构的交叉耦合p-p-n型反相器、两组nmos传输管、四个存储结点、字线wl、写字线wwl和一对位线，将一对内嵌交叉结构的交叉耦合p-p-n型反相器分别称为第一p-p-n型反相器和第二p-p-n型反相器，将两组nmos传输管分别称为第一组nmos传输管和第二组nmos传输管，将四个存储结点分别称为第一存储结点、第二存储结点、第三存储结点和第四存储结点,将一对位线分别称为位线bl和位线blb；所述的第一p-p-n型反相器包括第一pmos管、第二pmos管和第一n...
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