技术编号：31873984
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有铜锰衬层的半导体元件及其制备方法.交叉引用.本申请案主张年月日申请的美国正式申请案第/, 号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文 中。技术领域.本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。特别涉及一种具有一铜锰 衬层的半导体元件及其制备方法。背景技术.对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步， 半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大 的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能...
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