技术编号：31886401
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种单晶炉电磁场强度监测装置。背景技术.单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。.为了提高单晶硅的拉晶质量，目前有一种方法是在单晶炉外设置电磁场，使磁力线从单晶炉中穿过，通过磁场作用改善单晶硅径向电阻率不均匀性，降低单晶棒中有害杂质的含量。.相关技术中，在对电磁场强度进行监测时，由于现有的监测装置一般不可进行移动，只能对单晶炉一个部位进行监测，当内部有害杂质在单晶炉内分布不均时，此时无法对内部...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。