技术编号：31928560
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。集成的平面-沟道栅极功率mosfet技术领域.本发明的各个方面通常涉及晶体管，更具体地说，涉及垂直双扩散金属氧化物半导体(vdmos)场效应晶体管和沟道栅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。背景技术.消费市场需要更小的设备。此外，计算能力和性能随着可安装在单个晶圆上的晶体管数量的增加而增加。减小晶体管节距，降低导通电阻(rdson)，可以降低制冷用量和功耗。.目前对于高压应用来说，平面晶体管的间距存在限制。当共用栅极的本体区之间的距离减小时，两个本体区之间的jfet区中电荷载流子...
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