技术编号:31941528
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包括硬掩模结构的半导体器件.相关申请的交叉引用.本申请基于并要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权,上述韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。技术领域.本发明构思涉及半导体器件,并且更具体地,涉及包括硬掩模结构的半导体器件。背景技术.硬掩模可以通过化学气相沉积(cvd)形成。然而,通过cvd形成的颗粒可能造成缺陷。另选地或另外地,因为cvd工艺是在真空状态下执行的,所以使用/需要独立的设备。代替通过cvd工艺形成的先...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。