技术编号：31944346
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种氮化物半导体结构及其制备方法和应用。背景技术.氮化镓(gan)材料的研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点，其与碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代ge、si半导体材料、第二代gaas、inp化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。gan具有宽的直接带隙、高禁带宽度、高临界击穿电场、高载流子饱和迁移速度、优异的耐腐蚀性以及高热导率等特点，在高温、高频、大功率微电子器件以及高性能光电子器件领域具有广阔的应用前景。.由于以gan为代表的iii...
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