技术编号:31959799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体元件的湿式清洗制备方法.交叉引用.本申请案主张//申请的美国正式申请案第/,号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。技术领域.本公开关于一种半导体元件的制备方法,特别涉及一种半导体元件的湿式清洗制备方法。背景技术.最近在开发具有更小尺寸和更大集成(integration)密度的半导体元件方面的趋势导致了晶体管之间距离的减少。浅沟槽隔离(shallow trench isolation,sti)是目前应用最广泛的隔离晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。