技术编号:32024212
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种mocvd工艺使用的加热装置技术领域.本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种mocvd工艺使用的加热装置。背景技术.金属有机化合物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。mocvd是在气相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。mocvd是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。