技术编号:32060942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。gao基异质集成pn结的制备方法技术领域.本申请属于半导体材料领域,具体涉及一种gao基异质集成pn结的制备方法。背景技术.gao是一种非常有吸引力的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为.~.ev,这相当于si的倍以上,比同属宽禁带半导体材料的sic、gan等还要高不少,这使得其具有高达mv/cm的击穿电场强度和高达的baliga优值指数。因此,基于gao研制的器件将具有更小的导通损耗,更高的功率转换效率和更高的耐压。除此以外,可通过提拉法生产大尺寸、低成本、高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。