技术编号：32168786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种低导通电阻分离栅mosfet芯片及其制造方法技术领域.本发明涉及金属-氧化物半导体场效应晶体管，尤其涉及一种低导通电阻分离栅mosfet芯片及其制造方法。背景技术.mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)产品技术经过多年的积累和发展，在功率半导体中比重越来越高，应用越来越广泛。相应的对于mosfet产品的性能要求越来越高。特别是对mosfet的导通电阻(rds(on))要求越低越好，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。