技术编号:32173787
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于重掺硅单晶生产技术领域,具体涉及一种用于重掺硅单晶的掺杂方法及掺杂装置。背景技术.随着极大规模集成电路时代的到来,cmos工艺因其众所周知的低功耗和优良的噪声容限,已经成为ic业的流行工艺,但随着集成度提高而带来器件沟道宽度的不断缩小,cmos结构所固有的pnpn晶体管引起的闩锁(latch-up)效应会更加严重,另外,电路按比例缩小后由α粒子辐射产生的软失效还可能在电路中引发严重的逻辑错误。.重掺单晶因其能克服器件结构中固有的闭锁效应和α粒子软失效等寄生效应,从而广泛用作硅外...
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