技术编号:32305490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于集成电路用靶材制备领域,特别涉及一种背面强化的单体靶材及其制备方法。背景技术.高纯金属溅射靶材是集成电路制造用关键材料,在使用过程中主要通过磁控溅射技术获得各种薄膜功能材料。目前,按照化学成分可将溅射靶材分为:纯金属靶材,如铝、铜、钛、钽、钴、金、银、镍等;合金靶材,如铝铜、铝硅、铜铝、铜锰、钨钛、镍铂、镍钒、银铜等。依据摩尔定律,集成电路制造工艺持续进步,不断迭代更新,对各种材料的性能也提出了越来越高的要求,首先是材料的纯度要求越来越高,纯金属的纯度要求从.%到....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。