技术编号：32351686
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及碳化硅衬底的制造方法、碳化硅衬底以及去除由激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法。背景技术.以往在半导体衬底的制造中采用通过对半导体衬底照射激光而加工该半导体衬底的方法。.专利文献公开了这样的发明：对加工对象物照射激光束，该激光束采用加工对象物可吸收的波长，将激光束的聚光点位于加工对象物的上表面上来进行烧蚀加工，在加工对象物的上表面上形成槽。另外，可以理解为，专利文献记载的发明是可应用于已知的半导体材料的方法。.现有技术文献.专利文献.专利文献：日本特开平-...
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