技术编号：32384582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本揭示内容涉及校正光刻工艺的方法。具体来说，本揭示内容涉及在相同晶片中不同曝光场之间的校正。背景技术.光刻工艺包含若干且繁复的物理性以及化学性处理，过程中晶片与光罩的对准、光阻剂的选择、曝光条件等均可能造成图案的误差。因此，在现有的工艺中，会在不同批次晶片或是不同晶片转换之际，执行补偿(例如校正晶片位置的偏移)，校正成品误差。.然而，即使在同一晶片上，不同位置待形成的图案便可能不同，并且若将每次曝光时，晶片照射到光线的曝光区域，定义为一个曝光区(shot area)，则晶片包含复数曝光区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。