技术编号:32421303
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开内容涉及碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法。本申请主张基于在年月日提交的日本专利申请、即特愿-号的优先权。在该日本专利申请中记载的所有记载内容通过参考并入本说明书中。背景技术.在日本特开平-号公报(专利文献)中记载了通过升华再结晶法使单晶碳化硅生长的方法。现有技术文献专利文献.专利文献:日本特开平-号公报发明内容.本公开内容所涉及的碳化硅单晶具有第一主面、第二主面、第一碳化硅区域和第二碳化硅区域。第二主面位于第一主面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。