技术编号:32434724
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种控制电路和存储器。背景技术.动态随机存储器(dynamic random access memory,dram)由于其存储密度高、传输速度快等特点,广泛应用于现代电子系统中。随着半导体技术的发展,dram技术越来越先进,存储单元的集成度越来越高;同时,各种不同的应用对dram的性能、功耗和可靠性等也都要求越来越高,例如ddr和lpddr等。.而现有具备检错纠错功能(error correcting code,ecc)的存储器数据传输线路在功耗...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。