技术编号：32439772
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及抑制在氮化铝层中产生裂纹的方法。背景技术.紫外发光元件是被期待在其与杀菌光源或荧光体组合而成的高亮度白色光源、高密度信息记录光源、树脂硬化光源等范围广泛的用途中使用的新一代光源。氮化铝(aln)有望作为这种紫外发光元件的半导体材料。.以往，作为制造aln衬底的方法，采用在化学组成与aln晶体不同的不同组成的基底衬底上使aln晶体生长的方法。.在专利文献中记载如下：从在升华法中的高温气氛下具有耐久性、与aln晶体的晶格常数失配小等的观点来看...
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