技术编号：3244693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是涉及一种HDP CVD工艺淀积 介质膜的方法。 背景技术HDP CVD (高密度等离子体化学气相淀积)工艺淀积介质膜具有在淀积 的同时进行刻蚀的特点，能够形成无空洞的填隙，因此被广泛应用于接触 孔的填隙及后道工序的介质填隙等。该工艺用于接触孔模块时主要淀积无 惨杂硅玻璃(USG)、氟硅玻璃(FSG)或是磷硅玻璃(PSG)。现有的采用HDP CVD工艺淀积介质膜主要包括下列步骤，请参阅图l 第1步，打开反应腔阀门。这一步中...
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