技术编号：32499045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体存储技术领域，特别涉及一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法。背景技术.随着半导体技术的不断进步，特征尺寸不断下降，对于以浮栅结构flash为代表的传统非易失性存储器而言，当其工艺节点缩小到nm时，其漏电功耗，集成度等等都成为其进一步发展的壁垒。而且在存储速度方面来看，易失性存储器和非易失性存储器之间的差距，表明它们之间还应该存在着一种存储器。.新型存储器如铁电存储器，磁存储器，相变存储器，阻变存储器等受到越来越多的关注。其中阻变存储器以结构简单...
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