技术编号：3251667
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁控溅射靶的密封装置，尤其是用于10—8Pa 超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置。背景技术在半导体材料上制成各种元器件后，按电路设计要求将这些 元器件连接起来，形成具有各种功能的集成电路的工艺称为金属化工艺。金 属化系统及其工艺的优劣会影响电路的性能和可靠性。溅射工艺是常用的金 属化工艺之一，因其淀积粒子的能量较高，膜与衬底粘附性更好，溅射膜的 合金成分与靶的成分基本相同，对衬底的台阶覆盖更好，且溅射电压较低， 降低了对衬底材料的辐射损伤，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。