技术编号：3252557
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及双层复合薄膜的制备方法，尤其涉及制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法。背景技术 多晶碳化硅薄膜材料同时具有单晶碳化硅材料的高迁移率及非晶碳化硅材料可大面积、低成本的优点。因此，对于多晶碳化硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注。多晶碳化硅薄膜材料具有高的迁移率，最大可接近单晶碳化硅材料的迁移率，因此在一些半导体器件方面得到广泛的应用。如场效应管的栅极、二极管的发射极、电荷耦合器件的电极等。固相晶化法制备多晶碳化硅具有工艺简单，易操作的优点，但...
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