技术编号：3258982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体装置的配线形成工序等中用于研磨的CMP用研磨液以及研磨方法。 背景技术近年来，随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化、高性能化，新的微细加工技术也不断被开发出来。化学机械研磨(以下记作CMP)法就是其中之一，其为在LSI制造工序特别是在多层配线形成工艺中经常使用的技术，用于层间绝缘膜的平坦化、金属插塞的形成、埋入式配线的形成。该技术公开于例如专利文献I中。另外，最近，为了使LSI高性能化，尝试利用铜和铜合金作为构成配线材料的导...
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