技术编号:32658006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及电力电子功率模块技术领域,具体涉及一种低电感功率模块。背景技术.作为第三代半导体的代表sic mosfet,具有高温损耗低、开关频率高等优点,可以提高系统的效率,减小系统的体积,降低系统的成本。国内外主流厂商已开始推广sic功率模块,如图所示,现有的sic功率模块的正电极通过键合线与绝缘基板表面的正极铜层相连,上桥mos和上桥sbd的下表面均焊接在同一侧的正极铜层上,上表面通过共用的键合线与输出极铜层相连,输出电极通过键合线与绝缘基板表面的输出极铜层相连,下桥mos和下桥sbd...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。