技术编号：3269795
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种用于扩展等离子体发生器中水冷铜板的结构，属于高端PECVD装备领域。背景技术ETP PECVD技术具有高沉积率(可达20nm/s)、SiH4气源利用率高(只是辉光放电PECVD技术的一半)和操作简单等优点。该技术广泛用于太阳能电池片制造工艺中减反射薄膜的制备。在扩展热等离子体发生装置中输入功率只有很少一部分用于产生等离子体，大部分是通过热传导或辐射形式消耗掉。因此导致等离子源各部分(包括阴极放电腔室、等离子体输运通道和阳极底座)承受很高的...
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