带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法技术资料下载

技术编号:32742310

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带有磁致应变源的gesn发光二极管及其制备方法技术领域.本发明属于光电子集成电路技术领域,具体涉及到一种基于gesn材料的带有磁应变源的发光二极管及其制备方法。背景技术.在摩尔定律的约束下,集成电路的集成度不断增大且器件尺寸逐渐减小,集成电路中器件间的电连接开始出现物理极限。随着光电子技术的迅猛发展,硅基光互联为解决芯片集成中电连接问题提供了新思路。近年来,硅基光电子在光电探测器、调制器、开关、波导等方面均取得了重要突破,但在高效发光光源方面进展却十分缓慢,究其原因为常用的vi族半导体si、...
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