技术编号：32746453
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体装置。背景技术.以往公知有一种半导体装置，其具备mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor；金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolar transistor；绝缘栅双极型晶体管)等功率用半导体元件。对于这种半导体装置而言，为了实现大容量化、高输出化，有时将多个半导体元件彼此并联地连接使用(例如专利文献)。专利文献所述的半导体装置具备：两个半导体元件、第一端子...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。