技术编号：32750735
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种磁场诱导法制备sic纳米线阵列的方法技术领域.本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，具体涉及一种一种磁场诱导法制备sic纳米线阵列的方法。背景技术.自上世纪年代以来，碳化硅(sic)的制备及其相关性能研究已经成为国际上半导体领域的研究热点，相比于第一代半导体材料(si、ge等)和第二代半导体材料(gaas、gap、inp、inas等)具备了更加优异的性能。近年来，能在极端(高温、高频、大功率、强辐射)环境下正常工作的电子器件的研究引起了广泛关注。sic具有宽禁带、高临界击穿场强、高电...
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