技术编号：32757382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及溅射机台控制技术领域，具体涉及适用于溅射机台的烧腔控制方法、装置、计算机设备和存储介质。背景技术.目前半导体封装领域采用的溅射机台中主要包含种功能腔室，即：用于清除晶圆表面水汽的除水汽腔室(g腔室)、用于刻蚀去除晶圆表面氧化层的蚀刻腔室(e腔室)和用于沉积金属的沉积腔室(d腔室)。在芯片的封装工艺作业中，要求内部腔室保持高真空负压状态，以防止外界环境中水汽的引入而造成靶材金属的氧化或在晶圆表面金属刻蚀后发生二次氧化的异常。这是因为无论是靶材金属的氧化还是晶圆表面金属的氧化，均会...
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