技术编号:32771056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种半导体结构。背景技术.横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-oxide semiconductor,简称ldmos)器件既具有分立器件高电压和大电流特点,又汲取了低压集成电路高密度智能逻辑控制的优点,能够单芯片实现原来多个芯片才能完成的功能,大大缩小了面积,降低了成本,提高了能效,符合现代电力电子器件小型化、智能化以及低能耗的发展方向。导通电阻是衡量横向扩散金属氧化物半导体器件的关键参数。.现有的横向扩散金属氧化物半...
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