技术编号:3279308
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在衬底上化学气相沉积法(CVD)的装置及方法,尤其涉及一种氢化物气相外延(HVPE)里使用的喷头设计。背景技术氢化物气相外延(HVPE)技术具有生长速度快,生产成本低等特点,非常适用于III 族-氮化物半导体材料生长,比如氮化镓(GaN)晶片的大批量生产。随着对于LED、LD、晶体管和集成电路的需求增加,沉积高质量III族-氮化物薄膜的效率呈现出更大的重要性。为了增加产量和生产能力,期望在较大的衬底和/或更多衬底以及较大沉积区域之上的前驱...
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