技术编号:3280201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制备多晶硅薄膜的方法,更具体地,属于制备多晶硅薄膜的方法的改进。背景技术多晶硅是单质硅的一种状态,熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅薄膜的光电性能不仅取决于其晶粒和晶界的性质,而且还取决于晶粒的大小及其相互间的取向关系的分布特性。它既具有与晶体硅相似的优良电学、光学性能,又具有非晶硅薄膜的低成本、制备简单和可以大面积生产等优点。多晶硅薄膜的主要用途有 电子信息工程的重要...
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