技术编号：32821811
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及靶材技术领域，尤其涉及一种环形件。背景技术.半导体芯片制造过程中，物理气相沉积(pvd)溅射是其中一步不可或缺的工艺流程，其原理利用辉光放电效应，用带电粒子轰击靶材，使靶材表面原子或分子获得一定的动能，使其从表面逸出并淀积在衬底上的过程。由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的，导致从靶材表面逸出的靶材原子的方向性存在不确定性，即靶材原子会从各个角度脱离靶材表面，最后在衬底表面沉积形成所需的薄膜。.pvd溅射中所使用的环形件是一种消耗品，其应用于半导体集成电路制造中的pvd溅射...
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